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ON安森美BC847CLT1G NPN通用雙極晶體管中文資料

來源:
2024-06-25
類別:基礎(chǔ)知識
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美BC847CLT1G NPN通用雙極晶體管

一、型號簡介

安森美(ON Semiconductor)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,生產(chǎn)的BC847CLT1G是一款NPN型通用雙極晶體管。這種晶體管廣泛應(yīng)用于各種電子電路中,因其穩(wěn)定的性能和較高的可靠性而備受青睞。

BC847CLT1G圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類:三極管

中文描述: 單晶體管,雙極,通用,NPN,45 V,100 MHz,300 mW,100 mA,520 hFE

英文描述: Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

數(shù)據(jù)手冊:http://m.syqqgy.com/data/k02-24025922-BC847CLT1G.html

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BC847CLT1G中文參數(shù)

晶體管類型NPN引腳數(shù)目3
最大直流集電極電流100 mA每片芯片元件數(shù)目1
最大集電極-發(fā)射極電壓45 V最大基極-發(fā)射極飽和電壓0.9 V
封裝類型SOT-23長度2.9mm
安裝類型表面貼裝最大集電極-發(fā)射極飽和電壓0.6 V
最大功率耗散300 mW最高工作溫度+150 °C
最小直流電流增益420最低工作溫度-55 °C
晶體管配置寬度1.3mm
最大集電極-基極電壓50 V高度0.94mm
最大發(fā)射極-基極電壓6 V尺寸0.94 x 2.9 x 1.3mm
最大工作頻率100 MHz

BC847CLT1G概述

BC847CLT1G是一款NPN通用雙極晶體管,設(shè)計用于線性和開關(guān)應(yīng)用。該器件設(shè)計用于低功耗表面安裝應(yīng)用.額定功率:300mW 集電極電流Ic:100mA 集射極擊穿電壓Vce:45V 晶體管類型:NPN NPN 45V 100mA

潮濕敏感度1級

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),PPAP功能

靜電保護:>4000V人體模型,>400V機型

應(yīng)用

工業(yè),電源管理,車用

BC847CLT1G規(guī)格參數(shù)

參數(shù)名稱屬性值
Brand NameON Semiconductor
是否無鉛不含鉛
零件包裝代碼SOT-23
包裝說明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
針數(shù)3
制造商包裝代碼318-08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代碼EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集電極電流 (IC)0.1 A
集電極-發(fā)射極最大電壓45 V
配置SINGLE
最小直流電流增益 (hFE)420
JEDEC-95代碼TO-236
JESD-30 代碼R-PDSO-G3
JESD-609代碼e3
濕度敏感等級1
元件數(shù)量1
端子數(shù)量3
最高工作溫度150 °C
最低工作溫度-55 °C
封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
封裝形狀RECTANGULAR
封裝形式SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)260
極性/信道類型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
認(rèn)證狀態(tài)Not Qualified
表面貼裝YES
端子面層Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間40
晶體管元件材料SILICON
標(biāo)稱過渡頻率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

BC847CLT1G引腳圖

image.png

二、型號類型及后續(xù)產(chǎn)品

BC847CLT1G屬于BC847系列的一個變種,其系列包括BC847、BC847A、BC847B、BC847C等。這些型號的主要區(qū)別在于它們的增益參數(shù)(hFE),具體來說:

  • BC847A:低增益,hFE在110到220之間。

  • BC847B:中等增益,hFE在200到450之間。

  • BC847C:高增益,hFE在420到800之間。

BC847CLT1G通常應(yīng)用于要求較高增益的電路中,是BC847系列的一種常見配置。

三、工作原理

NPN型雙極晶體管由三個區(qū)域構(gòu)成:發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)。其工作原理如下:

  1. 發(fā)射極注入電子:當(dāng)基極電流存在時,發(fā)射極區(qū)域的電子被注入到基極區(qū)域。

  2. 基極控制電流:基極區(qū)域很薄,電子迅速穿過,少部分電子與基極的空穴復(fù)合,大部分電子到達集電極區(qū)域。

  3. 集電極收集電子:集電極區(qū)對電子具有強吸引力,使得大部分從發(fā)射極來的電子進入集電極,形成集電極電流(IC)。

總電流關(guān)系可以表示為:ICβ?IBI_C approx eta cdot I_BIC≈β?IB其中,βetaβ為晶體管的電流增益。

四、特點

BC847CLT1G具有以下顯著特點:

  1. 高增益:提供了高電流增益,使其適用于信號放大。

  2. 低噪聲:低噪聲特性使其適用于高保真音頻放大器和其他低噪聲應(yīng)用。

  3. 小型封裝:采用SOT-23封裝,有利于高密度電路板設(shè)計。

  4. 可靠性高:在寬溫度范圍內(nèi)工作,具有良好的熱穩(wěn)定性。

  5. 低功耗:在較低電壓和電流條件下工作,有效降低能耗。

五、應(yīng)用

BC847CLT1G因其多功能性和優(yōu)異性能,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 信號放大器:用于低電平信號的放大,如音頻放大器、傳感器信號處理。

  2. 開關(guān)電路:用于數(shù)字電路中的開關(guān)和控制,如驅(qū)動繼電器、LED。

  3. 振蕩器和定時器:用于構(gòu)建振蕩器和定時電路。

  4. 電源管理:在電源管理電路中,用于電流和電壓調(diào)節(jié)。

六、參數(shù)

BC847CLT1G的主要參數(shù)如下:

  • 最大集電極-基極電壓(VCBO):50V

  • 最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO):45V

  • 最大發(fā)射極-基極電壓(VEBO):6V

  • 最大集電極電流(IC):100mA

  • 功耗(Ptot):250mW

  • 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)):典型值0.25V(IC=10mA,IB=0.5mA)

  • 基極-發(fā)射極飽和電壓(VBE(sat)):典型值0.65V(IC=10mA,IB=0.5mA)

  • 直流電流增益(hFE):典型值420到800(IC=2mA,VCE=5V)

七、結(jié)語

綜上所述,安森美的BC847CLT1G是一款性能優(yōu)越的NPN通用雙極晶體管,具有高增益、低噪聲、低功耗等特點,適用于多種電子電路中的放大、開關(guān)和振蕩等應(yīng)用。其小型封裝和廣泛的應(yīng)用場景,使其成為電子工程師在設(shè)計和開發(fā)過程中不可或缺的基本元件之一。


責(zé)任編輯:David

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