原標題：科普 | NAND閃存種類一覽

NAND閃存作為非易失性存儲器的一種，廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）、手機、嵌入式系統(tǒng)等設(shè)備中。以下是NAND閃存種類的詳細介紹，采用分點表示和歸納的方式：

1. NAND閃存的基本分類

NAND閃存根據(jù)每個存儲單元可以存儲的位數(shù)不同，可以分為以下幾類：

• 單層單元（SLC, Single-Level Cell）

• 每個存儲單元僅存儲一個比特的信息（0或1）。

• 特點：具有快速的寫入速度、高耐久性和較長的P/E（Program/Erase）次數(shù)。

• 成本：相對較高。

• 多層單元（MLC, Multi-Level Cell）

• 每個存儲單元可以存儲多個比特，通常是2個或4個比特。

• 特點：提供了更高的存儲容量和較低的成本，但寫入速度、耐久性和P/E次數(shù)相對較低。

• 成本：中等。

• 三層單元（TLC, Triple-Level Cell）

• 每個存儲單元可以存儲3比特的信息，具有8種單元狀態(tài)。

• 特點：進一步提高了存儲容量，但寫入速度、耐久性和P/E次數(shù)進一步降低。

• 成本：相對較低。

• 四級單元（QLC, Quad-Level Cell）

• 每個存儲單元可以存儲4比特的信息，具有16種單元狀態(tài)。

• 特點：提供了最高的存儲容量，但寫入速度、耐久性和P/E次數(shù)最低。

• 成本：最低。

2. 3D NAND技術(shù)

• 定義：3D NAND或稱為V-NAND（垂直NAND），通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，以獲取更高的存儲密度和更好的性能。

• 特點：

• 更高的存儲容量：由于垂直堆疊，可以在不增加芯片面積的情況下增加存儲容量。

• 更好的耐用性：由于堆疊消除了電池變小時發(fā)生的電干擾，因此具有更好的耐用性。

• 更低的功耗：與2D NAND相比，3D NAND具有更低的功耗。

3. 性能與成本權(quán)衡

• SLC、MLC、TLC和QLC在性能、耐久性和成本上呈現(xiàn)逐漸遞減的趨勢。

• SLC提供最佳的性能和耐久性，但成本最高；QLC則提供最高的存儲容量和最低的成本，但性能和耐久性相對較差。

• 3D NAND技術(shù)通過垂直堆疊提高了存儲容量和性能，同時保持了相對較低的功耗。

4. 應(yīng)用場景

• SLC NAND通常用于需要高性能和可靠性的應(yīng)用，如企業(yè)級SSD。

• MLC NAND在消費級SSD中較為常見，提供了性價比較高的解決方案。

• TLC和QLC NAND則更多地用于需要大容量存儲但性能要求不高的應(yīng)用，如移動設(shè)備、入門級SSD等。

總結(jié)來說，NAND閃存種類多樣，每種類型都有其獨特的特點和應(yīng)用場景。在選擇NAND閃存時，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求進行權(quán)衡，以找到最適合的解決方案。