基于SG3525芯片+UC3844+IR2110實(shí)現(xiàn)高效小型化開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案


基于SG3525芯片、UC3844與IR2110的高效小型化開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
引言
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,高效、小型化的開關(guān)電源在各類電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。本文旨在設(shè)計(jì)一款基于SG3525芯片、UC3844電流型PWM控制器以及IR2110驅(qū)動(dòng)芯片的高效小型化開關(guān)電源。該方案結(jié)合了各芯片的優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了高轉(zhuǎn)換效率、低噪聲、快速響應(yīng)及良好的穩(wěn)定性。
主控芯片型號(hào)及其在設(shè)計(jì)中的作用
1. SG3525芯片
型號(hào)與特點(diǎn):
SG3525是美國(guó)硅通用半導(dǎo)體公司(Silicon General)生產(chǎn)的一種高性能、功能齊全的電流控制型PWM控制器。它內(nèi)部集成了基準(zhǔn)電壓調(diào)整器、振蕩器、誤差放大器、比較器、鎖存器、欠壓鎖定電路、閉鎖控制電路、軟起動(dòng)電路和輸出電路等多個(gè)功能模塊。SG3525的輸出驅(qū)動(dòng)為推拉輸出形式,增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)能力,適用于驅(qū)動(dòng)n溝道功率MOSFET。
在設(shè)計(jì)中的作用:
PWM控制:SG3525通過其內(nèi)部的脈寬調(diào)制器(PWM)生成控制信號(hào),調(diào)節(jié)MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間,從而控制輸出電壓和電流。
電壓與電流雙環(huán)控制:SG3525具有電壓環(huán)和電流環(huán)雙環(huán)控制系統(tǒng),能夠同時(shí)監(jiān)測(cè)輸出電壓和電流,確保電源的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。
軟起動(dòng)與保護(hù):內(nèi)置軟起動(dòng)電路,可防止開機(jī)時(shí)的電流沖擊;同時(shí),具有過流保護(hù)和欠壓鎖定功能,確保電源在異常情況下能夠自動(dòng)關(guān)閉,保護(hù)電路安全。
2. UC3844芯片
型號(hào)與特點(diǎn):
UC3844是美國(guó)Unitrode公司(已被TI公司收購)生產(chǎn)的高性能電流型PWM控制器。它采用單端輸出方式,最大占空比可達(dá)50%,具有過壓保護(hù)和欠壓鎖定功能。UC3844的啟動(dòng)電壓低,適用于寬范圍輸入電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
在設(shè)計(jì)中的作用:
電流控制:UC3844作為電流型PWM控制器,能夠直接根據(jù)反饋電流調(diào)節(jié)輸出脈寬,實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。
頻率可調(diào):通過調(diào)整UC3844的外部定時(shí)電阻和電容,可以靈活設(shè)置PWM信號(hào)的頻率,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
過壓與欠壓保護(hù):內(nèi)置的過壓和欠壓保護(hù)功能,確保電源在輸入電壓異常時(shí)能夠自動(dòng)關(guān)閉,保護(hù)電路不受損壞。
3. IR2110芯片
型號(hào)與特點(diǎn):
IR2110是International Rectifier公司生產(chǎn)的一種高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)器,適用于驅(qū)動(dòng)高壓、高速的n溝道和p溝道MOSFET。它采用自舉電路技術(shù),無需外部電源即可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)MOSFET,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
在設(shè)計(jì)中的作用:
驅(qū)動(dòng)能力增強(qiáng):IR2110能夠提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流,確保MOSFET快速、可靠地導(dǎo)通與關(guān)斷,提高電源的轉(zhuǎn)換效率。
自舉電路:內(nèi)置的自舉電路使得IR2110能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)的MOSFET,簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
保護(hù)功能:IR2110還具有一定的保護(hù)功能,如欠壓鎖定和過溫保護(hù),確保驅(qū)動(dòng)電路在異常情況下能夠自動(dòng)關(guān)閉,保護(hù)MOSFET不受損壞。
設(shè)計(jì)方案
1. 系統(tǒng)架構(gòu)
本設(shè)計(jì)采用SG3525作為主控制器,負(fù)責(zé)PWM信號(hào)的生成和電壓、電流的雙環(huán)控制;UC3844作為輔助控制器,提供額外的電流控制功能;IR2110作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器,增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力并簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
2. 主電路設(shè)計(jì)
輸入濾波電路:
輸入端采用LC濾波電路,濾除輸入電壓中的高頻噪聲和紋波,保證輸入電壓的穩(wěn)定性和純凈度。
功率變換電路:
采用推挽式功率變換電路,由兩個(gè)MOSFET交替導(dǎo)通與關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)電壓的變換和功率的傳遞。推挽式電路具有輸出電壓波形對(duì)稱、瞬態(tài)響應(yīng)速度快、電壓利用率高等優(yōu)點(diǎn)。
輸出濾波電路:
輸出端采用LC濾波電路,濾除輸出電壓中的高頻噪聲和紋波,確保輸出電壓的穩(wěn)定性和平滑性。
3. 控制電路設(shè)計(jì)
SG3525控制電路:
PWM信號(hào)生成:SG3525通過其內(nèi)部的振蕩器和比較器生成PWM信號(hào),控制MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷。
電壓與電流反饋:通過分壓電阻和采樣電阻分別采集輸出電壓和電流信號(hào),反饋至SG3525的誤差放大器進(jìn)行比較,實(shí)現(xiàn)電壓和電流的雙環(huán)控制。
軟起動(dòng)與保護(hù):利用SG3525內(nèi)置的軟起動(dòng)電路和過流保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)開機(jī)時(shí)的軟起動(dòng)和異常情況下的自動(dòng)保護(hù)。
UC3844輔助控制電路:
電流控制:UC3844接收來自電流傳感器的反饋信號(hào),與內(nèi)部基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,調(diào)節(jié)PWM信號(hào)的占空比,實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。
頻率調(diào)整:通過調(diào)整UC3844的外部定時(shí)電阻和電容,設(shè)置PWM信號(hào)的頻率,以適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。
IR2110驅(qū)動(dòng)電路:
驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大:IR2110接收來自SG3525和UC3844的PWM信號(hào),將其放大后驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極,實(shí)現(xiàn)MOSFET的快速、可靠導(dǎo)通與關(guān)斷。
自舉電路:利用IR2110內(nèi)置的自舉電路,無需外部電源即可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)MOSFET,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
4. 仿真與驗(yàn)證
利用電力電子仿真軟件(如SABER)對(duì)設(shè)計(jì)的開關(guān)電源進(jìn)行仿真驗(yàn)證。通過調(diào)整各參數(shù),確保電源在輸入電壓全范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)壓輸出,且輸出功率達(dá)到額定要求。同時(shí),驗(yàn)證電源在異常情況下的保護(hù)功能和穩(wěn)定性。
5. 散熱設(shè)計(jì)與效率優(yōu)化
在高效小型化開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中,散熱是一個(gè)至關(guān)重要的考慮因素。由于MOSFET和其他功率元件在高頻開關(guān)過程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量,如果不及時(shí)散出,可能會(huì)導(dǎo)致元件損壞,影響電源的穩(wěn)定性和壽命。
散熱設(shè)計(jì):
散熱片與風(fēng)扇:在MOSFET和其他關(guān)鍵功率元件上安裝散熱片,通過增大散熱面積來降低元件溫度。對(duì)于大功率應(yīng)用,還可以考慮在散熱片上安裝風(fēng)扇,增強(qiáng)空氣對(duì)流,提高散熱效率。
熱敏電阻與溫控電路:在電源內(nèi)部安裝熱敏電阻,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)關(guān)鍵元件的溫度。當(dāng)溫度超過設(shè)定閾值時(shí),通過溫控電路觸發(fā)保護(hù)機(jī)制,如降低輸出功率或關(guān)閉電源,以防止過熱損壞。
效率優(yōu)化:
優(yōu)化PWM控制策略:通過調(diào)整SG3525和UC3844的PWM控制參數(shù),如占空比、頻率等,以實(shí)現(xiàn)最佳的轉(zhuǎn)換效率。例如,在輕載條件下,可以采用跳周期控制(Skip Cycle Modulation, SCM)或突發(fā)模式(Burst Mode)來減少開關(guān)損耗,提高輕載效率。
選用低損耗元件:在設(shè)計(jì)中盡量選用低損耗的MOSFET、二極管、電感等元件,減少功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損失。
6. 電磁兼容性(EMC)設(shè)計(jì)
開關(guān)電源在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的電磁干擾(EMI),如果不加以控制,可能會(huì)對(duì)周圍電子設(shè)備造成干擾,甚至影響電源自身的正常工作。
EMC設(shè)計(jì):
濾波電路設(shè)計(jì):在輸入和輸出端增加濾波電路,如共模電感、差模電容等,以濾除高頻噪聲和電磁干擾。
屏蔽與接地:對(duì)電源內(nèi)部的敏感元件和電路板進(jìn)行屏蔽處理,減少電磁輻射。同時(shí),合理設(shè)計(jì)接地系統(tǒng),確保信號(hào)和電源的可靠接地,降低地電位差引起的干擾。
布局與布線:在電路板布局時(shí),應(yīng)盡量將高頻信號(hào)線和電源線分開布置,避免相互干擾。同時(shí),采用短而粗的導(dǎo)線連接大功率元件,減少線路阻抗和損耗。
7. 軟件調(diào)試與測(cè)試
在完成硬件設(shè)計(jì)后,需要進(jìn)行軟件調(diào)試和測(cè)試以確保電源的性能和穩(wěn)定性。
軟件調(diào)試:
參數(shù)設(shè)置:根據(jù)實(shí)際需求,通過SG3525和UC3844的外部引腳或內(nèi)部寄存器設(shè)置合適的控制參數(shù),如電壓基準(zhǔn)、電流限值、軟起動(dòng)時(shí)間等。
保護(hù)機(jī)制驗(yàn)證:通過模擬過壓、欠壓、過流等異常情況,驗(yàn)證電源的保護(hù)機(jī)制是否有效。
測(cè)試:
靜態(tài)測(cè)試:在額定輸入電壓和負(fù)載條件下,測(cè)量電源的輸出電壓、電流和效率等參數(shù),確保滿足設(shè)計(jì)要求。
動(dòng)態(tài)測(cè)試:在負(fù)載突變、輸入電壓波動(dòng)等動(dòng)態(tài)條件下,測(cè)試電源的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。
EMC測(cè)試:按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電源進(jìn)行EMC測(cè)試,確保其電磁輻射和抗干擾能力符合規(guī)范要求。
8. 實(shí)際應(yīng)用與改進(jìn)
將設(shè)計(jì)好的開關(guān)電源應(yīng)用于實(shí)際設(shè)備中,并進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行測(cè)試,以驗(yàn)證其可靠性和穩(wěn)定性。同時(shí),根據(jù)實(shí)際應(yīng)用中遇到的問題和反饋,對(duì)電源進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)和優(yōu)化。
實(shí)際應(yīng)用:
系統(tǒng)集成:將開關(guān)電源與設(shè)備的其他部分進(jìn)行系統(tǒng)集成,確保電源與設(shè)備之間的接口兼容性和信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。
現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試:在實(shí)際工作環(huán)境中對(duì)電源進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行測(cè)試,記錄各項(xiàng)性能指標(biāo)和故障情況。
改進(jìn)與優(yōu)化:
性能提升:根據(jù)測(cè)試結(jié)果和反饋意見,對(duì)電源的性能進(jìn)行提升,如提高轉(zhuǎn)換效率、降低噪聲等。
成本降低:在保證性能的前提下,通過優(yōu)化設(shè)計(jì)和選用更經(jīng)濟(jì)的元件來降低生產(chǎn)成本。
智能化升級(jí):考慮加入智能控制功能,如遠(yuǎn)程監(jiān)控、故障診斷等,提高電源的智能化水平和用戶體驗(yàn)。
結(jié)論
本文詳細(xì)介紹了基于SG3525芯片、UC3844與IR2110的高效小型化開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案,包括系統(tǒng)架構(gòu)、主電路設(shè)計(jì)、控制電路設(shè)計(jì)、散熱設(shè)計(jì)與效率優(yōu)化、電磁兼容性設(shè)計(jì)、軟件調(diào)試與測(cè)試以及實(shí)際應(yīng)用與改進(jìn)等方面。通過綜合考慮各方面的因素,設(shè)計(jì)出了一款性能優(yōu)良、穩(wěn)定可靠、成本合理的開關(guān)電源,可廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。
責(zé)任編輯:David
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