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場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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為什么以及如何將GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于高效、更高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用
為什么以及如何將GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于高效、更高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用
　　面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是，對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的各種應(yīng)用，功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度對(duì)于設(shè)計(jì)成功至關(guān)重要?！　榱藵M足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員需要從使用傳統(tǒng)的硅(Si)基金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)轉(zhuǎn)變，因?yàn)樗鼈冋谘杆俳咏?.....
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Semtech的CopperEdge GN8112 PAM4均衡器確實(shí)顯著增加了銅纜的覆蓋范圍，具體表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：技術(shù)規(guī)格與特點(diǎn)：CopperEdge GN8112是一款四通道112Gbps PAM4線性均衡器，專為有源銅電纜（ACC）和背板應(yīng)用設(shè)計(jì)。它通過采用PAM4（四電平脈沖幅度調(diào)制）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了每通道112Gbps的高速數(shù)據(jù)......
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基于集成式場(chǎng)效應(yīng)晶體管DRV8243-Q1實(shí)現(xiàn)減小汽車電機(jī)尺寸、增強(qiáng)保護(hù)并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案
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基于DRV8243-Q1實(shí)現(xiàn)減小汽車電機(jī)尺寸、增強(qiáng)保護(hù)并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案一、引言在現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能和可靠性直接影響汽車的整體性能。為了滿足日益嚴(yán)格的空間、效率和安全性要求，設(shè)計(jì)師們需要不斷優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。德州儀器（TI）推出的集成式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器DRV8243-Q1，為汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供了一種高效、可靠且......
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Nexperia的PMPB17EP是一款P溝道溝槽式MOSFET，它具有特定的設(shè)計(jì)特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)這款MOSFET的詳細(xì)介紹：基本參數(shù)：溝道類型：P溝道結(jié)構(gòu)類型：溝槽式可能具有的特性：低閾值電壓（具體值可能因型號(hào)而異），快速開關(guān)速度，高可靠性等。技術(shù)特點(diǎn)：溝槽式技術(shù)：溝槽式結(jié)構(gòu)有助于提高電流的傳輸效率，減少電阻，從而降低功耗并提高......
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Vishay SiSS52DN 是一款 30V N 溝道 MOSFET，具有以下特點(diǎn)：低導(dǎo)通電阻：在 10V 條件下導(dǎo)通電阻僅為 0.95mΩ，相比上一代產(chǎn)品降低了 5%，有助于減少導(dǎo)通損耗。出色的 FOM：4.5V 條件下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（FOM）為 29.8mΩ*nC，是市場(chǎng)上 FOM 最低的產(chǎn)品之一，可降低開關(guān)損耗并節(jié)省能源。......
Vish... SiSS... 場(chǎng)效應(yīng)晶...
2022-06-23
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ADL 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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DL場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）作為一種半導(dǎo)體器件，在電子技術(shù)中扮演著重要角色。以下是關(guān)于ADL場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的詳細(xì)介紹：基本概念定義：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的三極管。與普通三極管相比，F(xiàn)ET的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。工作原理控制機(jī)......
場(chǎng)效應(yīng)管
2022-05-16
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熱門器件選型指南之功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管篇
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一、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）概述功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種單極型的電壓控制器件，具有自關(guān)斷能力、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。這些特性使得功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管特別適用于高頻化電力電子裝置，如DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。二、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)高開關(guān)速度......
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2022-05-16
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德州儀器BQ25883EVM評(píng)估模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
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德州儀器（Texas Instruments，簡(jiǎn)稱TI）是一家總部位于美國德克薩斯州的半導(dǎo)體跨國公司，以開發(fā)、制造、銷售半導(dǎo)體和計(jì)算機(jī)技術(shù)聞名于世。其BQ25883EVM評(píng)估模塊是用于評(píng)估BQ25883性能的平臺(tái)，以下是對(duì)該評(píng)估模塊的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用。一、介紹BQ25883EVM評(píng)估模塊是德州儀器提供的一個(gè)完整的充電器模塊，旨在幫助用......
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德州儀器（Texas Instruments，簡(jiǎn)稱TI）的bq25887EVM充電器評(píng)估模塊（EVM）是針對(duì)bq25887 IC設(shè)計(jì)的一款評(píng)估和開發(fā)平臺(tái)。以下是對(duì)該評(píng)估模塊的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用的分析：一、介紹bq25887EVM充電器評(píng)估模塊是德州儀器推出的一款具有電池平衡功能的升壓電池充電器評(píng)估模塊。該模塊集成了bq25887 IC，......
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基于PIC12C672單片機(jī)+LM50BIM3溫度傳感器+NTD24N06L功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)建的半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)過熱保護(hù)裝置設(shè)計(jì)方案
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基于PIC12C672單片機(jī)、LM50BIM3溫度傳感器和NTD24N06L功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）構(gòu)建的半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)過熱保護(hù)裝置設(shè)計(jì)方案一、設(shè)計(jì)背景在現(xiàn)代電子設(shè)備中，半導(dǎo)體制冷技術(shù)廣泛應(yīng)用于溫控系統(tǒng)中，特別是在需要精確控制溫度的領(lǐng)域，例如計(jì)算機(jī)芯片冷卻、精密儀器等。然而，半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)也面臨著一個(gè)重要的挑戰(zhàn)——過熱保護(hù)。若系統(tǒng)......
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GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）作為兩種重要的寬帶隙半導(dǎo)體材料，在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。它們之間既存在相似之處，也有顯著的差異。以下是對(duì)兩者相似性和差異性的詳細(xì)分析：相似性寬帶隙特性：GaN和SiC都具有較高的帶隙能量（GaN的帶隙約為3.4eV，SiC的帶隙約為3.26eV），遠(yuǎn)高于硅（Si）的1.1eV。這使......
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使用超級(jí)電容器實(shí)現(xiàn)備用電源的有效方法
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使用超級(jí)電容器實(shí)現(xiàn)備用電源的有效方法涉及多個(gè)方面，包括超級(jí)電容器的選擇、充電電路的設(shè)計(jì)、電源管理系統(tǒng)的構(gòu)建以及無縫切換的實(shí)現(xiàn)等。以下是一個(gè)詳細(xì)的步驟和考慮因素：一、超級(jí)電容器的選擇容量與電壓：根據(jù)備用電源的需求選擇合適的超級(jí)電容器容量和電壓。超級(jí)電容器的容量決定了其能存儲(chǔ)的電能，而電壓則影響其工作范圍和安全性。ESR（等效串聯(lián)電阻）：選擇......
超級(jí)電容... 射頻接口 場(chǎng)效應(yīng)晶...
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些特點(diǎn)？其工作原理是怎樣的？
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是一種典型的電壓控制型半導(dǎo)體器件，它具有一系列獨(dú)特的特點(diǎn)和工作原理。特點(diǎn)電壓控制器件：場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），因此它是一種電壓控制型器件。高輸入阻抗：由于FET的柵極電流非常?。◣缀鯙榱悖漭斎胱杩狗浅８?，通常在1012Ω之間。噪聲?。篎ET不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，......
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Wolfspeed e系列AEC-Q101碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
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Wolfspeed E系列AEC-Q101碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管是專為汽車電子和其他高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件。這些器件基于碳化硅材料，具有出色的性能特點(diǎn)，如高功率密度、低損耗和高熱穩(wěn)定性，能夠滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)對(duì)高效率、高可靠性和長(zhǎng)壽命的嚴(yán)苛要求。特性AEC-Q101認(rèn)證：Wolfspeed E系列SiC場(chǎng)效應(yīng)晶體管符合AEC-......
AEC-... 碳化硅場(chǎng)... Wolf...
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EPC新推由氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)且可擴(kuò)展的DC/DC演示板
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關(guān)于中芯國際一季度營收及其14/28nm工藝營收占比的情況，以下是根據(jù)最新信息給出的詳細(xì)回答：一、中芯國際一季度營收中芯國際2024年一季度營收情況如下：營收總額：中芯國際2024年一季度營收為17.5億美元（按照某些報(bào)道，該營收也可轉(zhuǎn)換為125.94億人民幣，這取決于匯率和會(huì)計(jì)處理方式），同比增長(zhǎng)19.7%，環(huán)比增長(zhǎng)4.3%。這一營收成......
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EPC新推由氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)且可擴(kuò)展的1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板，于輕度混合動(dòng)力汽車和電池備用裝置
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固體激光器的調(diào)試方法主要包括以下幾個(gè)方面：一、光路調(diào)試泵浦光調(diào)試：確保泵浦光能夠準(zhǔn)確地照射到增益介質(zhì)（如激光棒）上。調(diào)整泵浦光的光斑大小和位置，使其滿足設(shè)計(jì)要求，通常要求光斑均勻且覆蓋增益介質(zhì)的有效區(qū)域。諧振腔調(diào)試：調(diào)整諧振腔的反射鏡（全反射鏡和輸出鏡）位置，確保激光能夠在諧振腔內(nèi)形成穩(wěn)定的振蕩。使用光闌和光柵等工具，檢查并調(diào)整光路，使激......
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如何挑選場(chǎng)效應(yīng)晶體管？有哪些需要注意些什么事項(xiàng)？
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以下是對(duì)芯片MC34063的中文資料、引腳圖及功能、升壓電路圖和降壓電路圖的詳細(xì)介紹：一、MC34063中文資料MC34063是一種通用型開關(guān)穩(wěn)壓器芯片，具有DC-DC轉(zhuǎn)換、升降壓和反相輸出等功能。它包含溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源、一個(gè)占空比周期控制振蕩器、驅(qū)動(dòng)器和大電流輸出開關(guān)，能輸出1.5A的開關(guān)電流。該芯片能在2.540V的輸入電壓下工作，......
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出的170V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN?FET）是一款具有顯著性能優(yōu)勢(shì)的電子元件。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品概述EPC推出的這款170V、6.8m?的EPC2059氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是EPC在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要成果。作為增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)......
晶體管 宜普電源 氮化鎵場(chǎng)...
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