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GAA工藝
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5月14日，在三星的代工論壇活動(dòng)中，三星發(fā)布了其第一款3nm工藝的產(chǎn)品設(shè)計(jì)套件（PDK） alpha 0.1版本，旨在幫助客戶盡早開始設(shè)計(jì)工作，提高設(shè)計(jì)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間（TAT）。這一宣布的特別之處在于，3nm是三星打算推出下一代環(huán)繞柵極Gate-All-Around（GAA）技術(shù)以取代FinFET的工藝節(jié)點(diǎn)。這個(gè)被稱為當(dāng)前FinFET 技術(shù)進(jìn)化版的生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)π酒诵牡木w管進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和改造，使其更小更快。

首發(fā)GAA晶體管技術(shù)，三星3nm工藝成功流片
首發(fā)GAA晶體管技術(shù)，三星3nm工藝成功流片
關(guān)于首發(fā)GAA晶體管技術(shù)，三星3nm工藝成功流片的相關(guān)信息，可以歸納如下：一、流片背景在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，三星與臺(tái)積電一直保持著激烈的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。隨著5nm工藝的逐步量產(chǎn)，3nm工藝成為了兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。為了在這一領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位，三星選擇了更為先進(jìn)的GAA（Gate-All-Around，全環(huán)繞柵極晶體管）技術(shù)，而臺(tái)積電則繼續(xù)沿用......
GAA晶... 通道場(chǎng)效... GAA工...
2021-07-01
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